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混合分散液プロセスを用いた引上げ法を行いSWNT探針の作製に試み，作製されたSWNT探針がシングルナノスケールかつ高アスペクト比のSTM加工の可能性か検証し以下の結論を得た．
１．従来の引上げ法に混合分散液プロセスを用いることでWにMWNTを付着させ，さらにその先端にSWNTを付着させることでSWNT探針の高確率での作製が可能であり、その最適条件は直径10 nmのSWNT探針では最適濃度条件はSWNT : 0.01 mg/ml MWNT : 0.05 mg/ml で作製率は約13%．直径約1 nmのSWNT探針では最適濃度条件はSWNT : 0.02 mg/ml MWNT : 0.04 mg/ml で作製率は約10%であった．
２．STM加工において探針の先端直径が微細であるほど加工痕の微細化効果が得られ，直径のきわめて微細なSWNT探針を用いることでシングルナノスケールでの加工が実現可能で加工時間の最適化で加工痕のアスペクト比の向上させることができ，120 secの加工において最も高いアスペクト比を有する加工痕が得られ，60 secの加工と比較し約11倍であった．
以上のことから本研究にて混合分散液プロセスを用いたSWNT探針作製法の確立とSWNT探針がSTM加工において有効であることを証明した．これらの結果より今後SWNT探針での凸形状加工及び線加工への応用が期待され，ナノスケール加工のさらなる進歩が期待される．
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