| 研究課題/領域番号 |
25420076
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 研究機関 | 東京工業高等専門学校 |
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研究代表者 |
角田 陽 東京工業高等専門学校, その他部局等, 准教授 (60224359)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| キーワード | エピタキシャル成長 / テクスチャ / 表面創成 |
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| 研究概要 |
本研究では，自律的な薄膜結晶成長における現象を応用し，マイクロテクスチャ創成技術として確立に資する知見を得ることを目的として，本年度は以下を実施している．基板については，面方位(111)の単結晶Si基板とし，付与形状幾何形状としては，円，三角形～多角形，溝の各凹および凸形状とし，大きさや高さおよび各面方位に対する付与方向を設定し，この形状付与基板に対する薄膜エピタキシャル結晶成長を実施し，成長条件（基板温度，成長速度，成膜量）と創成幾何形状ならびにテクスチャの関係を形状精度を実験的に明確化しつつある．やや遅れているものの，ほぼ当初の研究計画どおりに進んでいる．
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
3: やや遅れている
理由
主実験装置の故障対応のため．
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| 今後の研究の推進方策 |
当初計画よりも次年度の試行回数を増やして進める予定である．
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| 次年度の研究費の使用計画 |
物品費において，主実験装置の故障対応のため，研究計画よりも試行回数が少なく実験成果をあげているため．
次年度以降において，試行回数を増やす際の費用に充当する計画である．
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