| 研究課題/領域番号 |
25420076
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| 研究機関 | 東京工業高等専門学校 |
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研究代表者 |
角田 陽 東京工業高等専門学校, その他部局等, 准教授 (60224359)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| キーワード | エピタキシャル成長 / テクスチャ / 表面創成 |
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| 研究実績の概要 |
本研究では，マイクロテクスチャ（代表寸法がマイクロメートルオーダ以下の単位規則形状が無秩序に，または秩序よく規則的に整列配置されている面）創成技術のひとつとして，極低速の薄膜エピタキシャル結晶成長における分子の自律的な整列現象の応用を提案している．実際の試作実験および解析により，単位規則形状が秩序よく規則的に整列配置され，1マイクロメートル以下の形状精度をもったマイクロテクスチャの自律的創成技術の確立に資する知見を得ることを目的とする．
今年度は，前年度に引き続き，基板に面方位(111)の単結晶Si基板とし，付与形状幾何形状としては，円，三角形，四角形，直線形，同心円形の各凹（穴・溝）および凸（柱）形状とした場合について，薄膜エピタキシャル結晶成長を実施し，成長条件（基板温度，成長速度，成膜量）と創成幾何形状ならびにテクスチャの関係を形状精度，再現性を含めて実験的に明確化した．成膜量は０，１５，３０，４５ナノメートルの各場合とした場合の創成過程を時系列的に観察し，創成メカニズムの解明をはかりつつある．
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している
理由
おおむね想定どおりに進捗していると考えており，いくつかの成果発表も行えている．
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| 今後の研究の推進方策 |
２０１５（平成２７）年度は本助成事業期間の最終年度であるので，研究成果をまとめられるようにしていく．
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| 次年度使用額が生じた理由 |
予定していた観察装置について，廃番となったものがあり，新たな機種選定が必要となり，今年度については貸与によって実験を実施したため．
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| 次年度使用額の使用計画 |
新たに選定した観察装置の導入をはかり，実験をより充実して実施する予定てある．
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