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SiO2/Si 基板上のグラフェンに，KrF エキシマレーザーを照射したところ，あるパワー(以下では閾値パワーと呼ぶ)のときに，突然グラフェンが消失することが分かった。様々な層数(膜厚)のグラフェンに様々なパワーのレーザーを照射することにより，閾値パワーはグラフェンの層数に依存することを明らかにした。このことを利用して，ある目的の層数のグラフェンを基板上に残すような「層数選択的」なプロセスが可能であることを実証した。また，全面にグラフェンを転写した基板の一部にレーザーを照射するとその部分のグラフェンを取り除くことができることを示した。これはマスクレスレーザー加工を実証したことになる。
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