|
Si不純物濃度およびAl組成比の異なるAlGaN混晶薄膜をSEM-CL法で評価した。Si不純物濃度増加とAl組成比低下が表面ヒロックを増加させ、ヒロック端に局所的なSi起源のドナーアクセプタ対発光が生じた。また、理論的予測との比較から、結晶性が高い高Al組成AlGaN混晶薄膜において、局所CLの発光半値幅が増大することを明らかにした。この増大はAl空孔複合欠陥の増大と相関していることが示唆された。AlGaN量子井戸の顕微分光評価結果と内部量子効率との相関を明確にした。さらに、GaInN薄膜の温度依存CLマッピング像から、貫通転位近傍のポテンシャル構造についての考察を行い、発光モデルを構築した。
|
