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2015 年度 研究成果報告書

窒化物系深紫外域混晶半導体における高密度励起子系の光機能性

研究課題

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研究課題/領域番号 25420289
研究種目

基盤研究(C)

配分区分基金
応募区分一般
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関山口大学

研究代表者

山田 陽一  山口大学, 理工学研究科, 教授 (00251033)

研究期間 (年度) 2013-04-01 – 2016-03-31
キーワード励起子分子 / 励起子 / 局在化 / 低次元化 / 窒化物半導体 / 混晶半導体 / 励起子工学 / 量子井戸
研究成果の概要

深紫外波長領域に基礎吸収端を有するAlGaN混晶量子井戸構造を対象とし、2つの励起子の結合状態である励起子分子の基礎物性を解明した。発光励起スペクトルの測定より励起子分子の結合エネルギーを導出し、混晶量子井戸内に形成される励起子分子の結合エネルギー増大に対する局在効果と量子閉じ込め効果を分離して定量評価することに成功した。量子井戸層の膜厚や障壁層の混晶組成比を変化させた一連の試料に対する測定より、励起子分子の結合エネルギーは最大で160 meVに達し、室温以上の高温領域(750K)においても安定に存在することを明らかにした。

自由記述の分野

半導体光物性

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公開日: 2017-05-10  

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