|
本研究では高品質絶縁膜/SiC構造を実現するために、まず、平成25年度では高密度ラジカル法によるNH3ガスを用いた直接窒化法により界面制御層形成に関する要素技術の検討を行った。Si(100)基板を用いて窒化条件の検討を行ったところ、HW温度：1600℃、基板温度：200℃、処理時間：30分が界面状態の優れたMIS構造が形成できることを明らかにした。平成26年度では窒化処理した基板上に原料ガスとしてヘキサメチルジシラザンとNH3を用いたHWCVD法によりSiCN膜の形成を行い、MIS構造として適切な堆積条件のおよび熱処理による堆積の膜質向上の検討を行った。その結果、窒素雰囲気中、400℃で60分間のポスト熱処理を行うことで界面準位密度を低減できることを明らかにした。平成27年度は窒化条件およびSiCN膜の堆積条件の検討を更に精査し、優れたMIS構造の形成条件の絞り込みを図った。更に、前年度までの知見を基にSiC基板を用いたMIS構造の形成を行い、容量-電圧特性を調べたが、その特性を得ることができなかった。原因はSiCと電極間のオーミック接触が取れなかったためであると思われる。
|
