2015 年度研究成果報告書

高密度ラジカル法による界面制御層を導入したパワーデバイス用絶縁膜の形成

研究課題

研究課題/領域番号	25420290
研究種目	基盤研究(C)
配分区分	基金
応募区分	一般
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	九州工業大学
研究代表者	和泉亮九州工業大学, 大学院工学研究院, 教授 (30223043)
研究期間 (年度)	2013-04-01 – 2016-03-31
キーワード	表面改質 / 表面窒化
研究成果の概要	本研究では高品質絶縁膜/SiC構造を実現するための界面制御層の導入およびポスト熱処理に関する基礎検討を行っている。本研究ではSiC基板を用いずにSi(100)基板で調査した。界面制御層形成には加熱フィラメントによるNH3ガスの接触分解により行い、フィラメント温度：1600℃、基板温度：200℃、処理時間：30分の処理が最適であることを明らかにした。また、ポスト熱処理の最適条件を調べたところ、窒素雰囲気中、400℃で60分間の処理で界面準位密度を低減できることを明らかにした。
自由記述の分野	半導体プロセス