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高時間分解能化を果たす為に、電圧印加時における空乏層の形成等の挙動について、現在世界最高分解能である、位置分解能2umを有するPEA法を用いた超高分解能空間電荷測定装置により計測する事により、p型、n型、pn接合型半導体基板等の空乏層の形成状況の検証試験の結果、世界で始めて空乏層の形成を確認することに成功し、前述素子に対して印加電圧の極性と大きさを変更する事により、空乏層の形成状況が変化する事が確認できた。これらは、半導体基板-電極間の仕事関数の違いにより、ショットキー接合やオーミック接合などの条件によるものである事も確認でき、半導体帯電計測センサへの現時点での適切な構造を検証する事が出来た。
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