| 研究課題/領域番号 |
25420300
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 中部大学 |
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研究代表者 |
中野 由崇 中部大学, 工学部, 教授 (60394722)
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| 連携研究者 |
色川 芳宏 物質・材料研究機構, ワイドギャップ機能材料グループ, 研究員 (90394832)
角谷 正友 物質・材料研究機構, ワイドギャップ機能材料グループ, 研究員 (20293607)
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| 研究協力者 |
河合 弘治
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| キーワード | AlGaN/GaNヘテロ構造 / GaNバッファ層 / 炭素 / 欠陥準位 / デバイス・スイッチング特性 / MOCVD結晶成長 / 電流コラプス |
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| 研究成果の概要 |
窒化物半導体をベースとしたAlGaN/GaNヘテロ構造は次世代の高周波パワーデバイス材料として期待されているが、実デバイスでは高周波・高出力動作時にデバイス・スイッチング特性が不安定となる電流コラプスの問題が顕在化しており、実用化への障害となっている。本研究では、AlGaN/GaNヘテロ構造のバルク領域に起因する電流コラプスの原因解明を目的として、バルク領域での欠陥準位とキャリア捕獲の相関を系統的に調べ、スイッチング特性を支配する欠陥準位を特定した。
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| 自由記述の分野 |
半導体物性工学
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