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2015 年度 研究成果報告書

光アシスト金属―絶縁物同時無電解析出法による金属―絶縁物ナノグラニュラ薄膜の作製

研究課題

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研究課題/領域番号 25420303
研究種目

基盤研究(C)

配分区分基金
応募区分一般
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関奈良工業高等専門学校

研究代表者

藤田 直幸  奈良工業高等専門学校, その他部局等, 教授 (90249813)

研究分担者 宇田 亮子  奈良工業高等専門学校, 物質工学科, 准教授 (90321463)
平井 誠  奈良工業高等専門学校, 電気工学科, 准教授 (00534455)
連携研究者 伊崎 昌伸  豊橋技術科学大学, 工学研究科機械系, 教授 (30416325)
澤田 和明  豊橋技術科学大学, 工学研究科機械系, 教授 (40235461)
研究期間 (年度) 2013-04-01 – 2016-03-31
キーワード金属―絶縁物グラニュラ膜 / 光アシスト金属―絶縁物同時無電解析出法 / 電気化学成膜 / 光応答性ベシクル / 磁気特性
研究成果の概要

光応答性ベシクルにより溶液中のイオン濃度を制御する「光アシスト金属―酸化物同時無電解析出法」という方法でグラニュラ薄膜の膜組成変動の解決をめざした。光応答性ベシクルは、カプセルのような働きをするため、ベシクル内に薄膜作製の反応溶液の1成分を内包させれば、UV光の照射により、ベシクルが崩壊し反応溶液成分を制御できる。本研究では、CeやCoを内包する光応答性ベシクルの作製に成功し、それを用いることで、UV光を照射によりCo-Ce-O金属-酸化物同時電析膜のCoやCeの濃度制御が可能であることが明らかにできた。また、より飽和磁化が大きいFe-Co-Ce-O薄膜の電析に成功した。

自由記述の分野

電気電子材料

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公開日: 2017-05-10  

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