| 研究課題/領域番号 |
25420303
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 奈良工業高等専門学校 |
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研究代表者 |
藤田 直幸 奈良工業高等専門学校, その他部局等, 教授 (90249813)
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| 研究分担者 |
宇田 亮子 奈良工業高等専門学校, 物質工学科, 准教授 (90321463)
平井 誠 奈良工業高等専門学校, 電気工学科, 准教授 (00534455)
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| 連携研究者 |
伊崎 昌伸 豊橋技術科学大学, 工学研究科機械系, 教授 (30416325)
澤田 和明 豊橋技術科学大学, 工学研究科機械系, 教授 (40235461)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| キーワード | 金属―絶縁物グラニュラ膜 / 光アシスト金属―絶縁物同時無電解析出法 / 電気化学成膜 / 光応答性ベシクル / 磁気特性 |
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| 研究成果の概要 |
光応答性ベシクルにより溶液中のイオン濃度を制御する「光アシスト金属―酸化物同時無電解析出法」という方法でグラニュラ薄膜の膜組成変動の解決をめざした。光応答性ベシクルは、カプセルのような働きをするため、ベシクル内に薄膜作製の反応溶液の１成分を内包させれば、UV光の照射により、ベシクルが崩壊し反応溶液成分を制御できる。本研究では、CeやCoを内包する光応答性ベシクルの作製に成功し、それを用いることで、UV光を照射によりCo-Ce-O金属－酸化物同時電析膜のCoやCeの濃度制御が可能であることが明らかにできた。また、より飽和磁化が大きいFe-Co-Ce-O薄膜の電析に成功した。
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| 自由記述の分野 |
電気電子材料
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