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シリコンフォトニクスを用いて作製した波長可変フィルタチップと化合物半導体光増幅器とを効果的に組み合わせることで、超小型シリコンフォトニクス波長可変レーザを開発した。1. 光通信におけるC帯及びL帯をカバーする99 nmの波長可変範囲を達成。2. 外部共振器を長尺化することで約15 kHzの狭線幅発振が可能な波長可変レーザを開発。3. 高出力時のレーザ発振の不安定化の原因がシリコンの非線形光学効果に起因していることを見出し、40 mW以上の高出力が可能なフィルタ構造を開発。4. 量子ドットSOAを用いた1.2 um帯波長可変レーザを開発し、44 nmの波長可変動作に成功した。
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