| 研究課題/領域番号 |
25420314
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| 研究機関 | 秋田大学 |
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研究代表者 |
佐藤 祐一 秋田大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (70215862)
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| 研究分担者 |
齋藤 嘉一 秋田大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (10302259)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2017-03-31
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| キーワード | 半導体 |
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| 研究実績の概要 |
当該年度は、発光源構成のための各要素の検討をさらに推し進める過程において、より発光特性の良好な薄膜を得るために、成膜プロセスの条件と発光特性の関係をまず調べた。
InGaN薄膜を形成する場合にはInNの分解温度がGaNのそれに比べてはるかに低いことから、薄膜形成時のインジウム供給量とガリウム供給量を同量にした場合には、形成される薄膜中の組成はGaN寄りのものとなる。したがって、成長温度を極めて高くした場合には薄膜中のインジウム組成は極めて微量なものとなることを確認した。
これに対して、これらⅢ族元素の窒化物形成において、活性窒素を供給するための高周波窒素プラズマセルの数を増やすと、実質的に窒素が過剰供給の状態となる。これにより、薄膜形成時の成長温度が高い場合に入りにくいインジウムが比較的入りやすい状態となり、上述と同一の極めて高い成長温度で成膜した場合においてインジウムの量がわずかではあるが増加していることを確認した。
上記の薄膜においては、プラズマセルの数が大きい場合の方が明らかに発光波長が大幅に長くなるが、その発光強度が高いものとなることが確認された。また、薄膜の構造において明らかな差異が使用するプラズマセルの数に対して生じていることが確認された。
この現象は今後、良好な発光源を構成するために有用なものとなる可能性があり、本件についてさらに詳細な検討を行う必要があると判断し、次年度にこれらの解析を進めていくこととした。
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している
理由
発光特性が良好な薄膜に関して、特異な構造を有する場合があることが確認された点においては将来的な高性能デバイス形成に対して有効な成果であると言え、今後の発展が期待できる。
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| 今後の研究の推進方策 |
より良好な発光特性を発現する薄膜を得るため、これまで得られた薄膜の構造解析を進め、発光特性との関連を明らかにする。
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| 次年度使用額が生じた理由 |
当該年度において、発光源構成のための各要素の検討を推し進めていく過程において、良好な発光特性を発現する薄膜の構造解析を進めていった。その中で特異な構造を有する場合があることを確認したが、より詳細にその構造と発光特性の関連性を明らかにする必要が生じ、次年度に持ち越すこととなった。
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| 次年度使用額の使用計画 |
次年度は、より詳細な薄膜の構造解析を推し進めるため、繰り越し分の費用をこれらに充てる予定である。
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