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本研究では、無機半導体を用いた新規高性能フラットパネルディスプレイの実現に向け、その周辺技術を開発することに重点を置いて研究を進めた。最も重要な点は、Ⅲ族窒化物半導体薄膜のエピタキシャル成長が可能な単結晶基板ではなく、結晶に対する配向規制力が一様ではない、あるいは存在しない非単結晶基板の上に当該薄膜の高品質結晶を形成することである。当該薄膜の形成は高周波プラズマによる窒素ガス励起方式の活性窒素源を有する分子線エピタキシー装置により行った。得られた各薄膜についてＸ線回折測定による結晶性の解析やフォトルミネセンス特性の評価などを主に行った。
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