2015 年度研究成果報告書

再成長ソースを有する三次元構造InGaAs MOSFET

研究課題

研究課題/領域番号	25420322
研究種目	基盤研究(C)
配分区分	基金
応募区分	一般
研究分野	電子デバイス・電子機器
研究機関	東京工業大学
研究代表者	金澤徹東京工業大学, 理工学研究科, 助教 (40514922)
研究期間 (年度)	2013-04-01 – 2016-03-31
キーワード	MOSFET / 化合物半導体 / MOVPE / マルチゲート
研究成果の概要	将来の集積回路応用へ向けた高速・低消費電力トランジスタの実現へ向けた取り組みを行った。高電子移動度を有するInGaAsチャネル、リーク電流を抑制するマルチゲート構造、高い電流注入能力を有する再成長ソースを有する電界効果トランジスタを提案し、素子作製を行った。さらなる特性改善へ向けて再成長およびフィン型チャネル作製の条件を調査した。これにより、トランジスタのチャネル長は16 nmまで縮小され素子特性が向上した。
自由記述の分野	電子デバイス