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近年の高度無線通信システムあるいは無線電力伝送システムに使用されるマイクロ波電力増幅器（DC-RF変換）および整流器（RF-DC変換）の実用的な超高効率設計技術実現のため、提案するトランジスタ素子真性部最適負荷インピーダンス導出システムの高性能化・高出力デバイス対応化を実施し、また、トランジスタ寄生素子の非線形特性を考慮した回路設計手順を考案し、マイクロ波高効率増幅器・整流器の設計手法を確立した。実証結果として、GaAs pHEMTおよび高出力GaN HEMT素子を用いて種々の帯域のマイクロ波増幅器・整流器を試作・評価し、各々70～80％程度の高い効率が達成された。
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