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AlGaN/GaN MIST構造において、逆方向リーク電流が低く動的オン抵抗の増加の少ないゲート絶縁膜の研究を行い、原子層堆積法で堆積したAl2O3とZrO2の複合膜の有効性を示した。
次に、表面保護膜の検討を行い、スパッタ堆積したSiN膜、SiON膜、SiO2膜について動的オン抵抗を評価した結果、SiN膜またはSiON膜が電流コラプスの低減に有効であることを明らかにした。また、保護膜堆積前の酸素プラズマ処理が電流コラプス抑制に極めて有効であることを示した。最後に、最適化したゲート絶縁膜と表面保護膜を併せ持つMIS-HEMTを試作し、2kVを超える高耐圧かつ低リーク電流特性を実証した。
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