2015 年度研究成果報告書

窒化物半導体集積デバイスとSi-CMOS集積回路のウェハレベル融合とセンサ応用

研究課題

研究課題/領域番号	25420330
研究種目	基盤研究(C)
配分区分	基金
応募区分	一般
研究分野	電子デバイス・電子機器
研究機関	豊橋技術科学大学
研究代表者	岡田浩豊橋技術科学大学, エレクトロニクス先端融合研究所, 准教授 (30324495)
研究期間 (年度)	2013-04-01 – 2016-03-31
キーワード	窒化物半導体 / シリコン集積回路 / 一体化技術 / デバイス作製技術 / 半導体欠陥評価 / LED / トランジスタ
研究成果の概要	窒化物半導体とシリコン集積回路を一体した新規デバイス及びシステムの実現に向け、新しい絶縁膜堆積技術やウェハ接合技術などの開発を行い、新しいセンサや電子デバイス応用に向けた検討、並びに窒化物半導体へのプロセスダメージの影響の検討を行った。一体化基板上に窒化物半導体マイクロLEDと、これを駆動するシリコントランジスタを隣接して形成し、同一基板上のシリコン回路によるLEDの発光制御に世界で初めて成功した。
自由記述の分野	半導体工学