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福島第一原子力発電所廃炉では超高放射線環境での作業が必要であり、ロボットの投入による速やかな廃炉活動が求められている。しかし通常ロボットの頭脳であるSi半導体集積回路は、放射線耐性が低く、高い放射線環境下では容易に破損する。本研究では4H-SiC半導体による放射線耐性に優れた集積回路の研究を行った。本研究で作製した4H-SiC MOSFETsについて高ガンマ線曝露実験および高温動作実験を行い、それぞれ1.13 MGy曝露後での動作および、450℃での高温動作を示した。また集積回路の基本構造であるインバータ回路について、nMOSインバータ、Pseudo-CMOSインバータ回路の研究を行った。
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