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本研究では、準ミリ波帯以上の周波数におけるCMOS無線通信用電圧制御発振器（VCO）の低位相雑音化を検討した。具体的には、VCOの増幅器回路の位相雑音に対する寄与と雑音伝搬の経路、およびLC共振器の位相雑音に対する寄与をバラクタとインダクタについて解析・改善を行った。バラクタの解析においてはサイズ依存性を明確にし、高Qバラクタを実現することで位相雑音を約10dB改善した。また、インダクタの解析おいては準ミリ波帯以上において表皮効果が課題になることを解明し、ストライプ構造をとることで位相雑音を約4dB改善した。以上本研究により準ミリ波帯以上のVCOの位相雑音を約14dB改善できることを確認した。
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