| 研究課題/領域番号 |
25420339
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| 研究機関 | 東北学院大学 |
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研究代表者 |
原 明人 東北学院大学, 工学部, 教授 (20417398)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| キーワード | 薄膜トランジスタ / 多結晶シリコン / 4端子 |
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| 研究実績の概要 |
n-chおよびp-chのガラス基板上自己整合4端子メタルダブルゲート低温CLC poly-Si TFTの動作に成功し、理論値に近い制御性を確認した。同時に4端子の特性を生かしたEDインバータを作成し、ガラス基板上で2.0Ｖでのインバータ動作を確認した。これらの研究成果により1件の招待論文、招待講演2件（国際会議１、国内会議１）の発表を行った。
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| 現在までの達成度 (区分) |
現在までの達成度 (区分)
2: おおむね順調に進展している
理由
n-chおよびp-chのガラス基板上自己整合4端子メタルダブルゲート低温CLC poly-Si TFTの動作に成功し、その高い制御性をn型およびp型ともに確認した。同時に4端子の特性を生かしたEDインバータを作成し、ガラス基板上での電圧2.0Ｖのインバータ動作を確認した。
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| 今後の研究の推進方策 |
開発したn-chおよびp-chのガラス基板上自己整合4端子メタルダブルゲート低温CLC poly-Si TFTのプロセスをフレキシブルなガラス上に展開する。同時に、スマートカットによるフレキシブル化にも取り組み、高性能フレキシブルデバイスの実現を目指す。
また、CMOSデバイスの作成を進め、低電圧動作・低リーク電流のインバータの実現を目指す。さらに、4端子デバイスの特徴を生かした半導体バイオセンサの開発も進める。
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| 次年度使用額が生じた理由 |
購入予定の消耗品金額が予算残高（1万円）よりも高額であったため。
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| 次年度使用額の使用計画 |
半導体デバイス作成のための各種消耗品の購入に使用する。
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