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マイクロ・ディスプレイをめざし、高密度GaN系近紫外発光ダイオード(LED)集積化と蛍光体を利用したRGB発光に関する検討が必要である。GaN系近紫外LED集積化によるマイクロFPD製作のための要素技術である、素子一括集積化に必要な素子分離化技術を踏まえた結晶成長および近紫外透明導電膜の形成を行うことを検討した。化学リフトオフが可能である結晶Alをサファイア基板上に形成し、その上にGaN系薄膜の成長を行う手法を検討した。また、近紫外透明導電膜として酸化物透明電極を低コストに製作する手法を検討した。
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