| 研究課題/領域番号 |
25420349
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
井村 将隆 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 環境エネルギー材料部門, 主任研究員 (80465971)
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| 連携研究者 |
小出 康夫 国立研究開発法人 物質・材料研究機構, 環境エネルギー材料部門, グループリーダー (70195650)
天野 浩 名古屋大学, 工学研究科, 教授 (60202694)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| キーワード | ダイヤモンド / 電界効果トランジスタ / MOSFET / ゲート絶縁膜 / 原子層体積成長法 / 電子デバイス / パワーデバイス / スパッタ法 |
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| 研究成果の概要 |
ダイヤモンドは多くの優れた特性を有するため、過酷な環境下で動作可能なパワーデバイスの材料として有望なワイドギャップ半導体である。本研究では、ダイヤモンド表面の正孔キャリアの形成方法及び電界効果トランジスタ(FET)デバイスプロセス条件とノーマリオン・オフ動作との関係を調査し、ノーマリオフ動作のメカニズムについて議論した。またゲート絶縁膜の種類と構造の最適化を行い、ノーマリオフ型ダイヤモンドEFTの大電流動作化の検討を行った。その結果、オン電流値としては比較的良好な値(-100~-200 A/mm)を比較的再現性良く得ることに成功した。
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| 自由記述の分野 |
半導体
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