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本研究では、In等の稀少金属を用いない透明導電体や高効率電子放出材料の開発を目指して、遷移金属元素や希土類金属元素をドープしたアルミン酸カルシウムC12A7の高品質バルク単結晶を育成し、その育成結晶をエレクトライド化して元素ドーピング効果を調べた。
その結果、固液界面形状を制御して溶媒移動浮遊帯域溶融法（TSFZ法）で結晶育成を行うことによりC12A7バルク単結晶中のドーパント濃度を制御することができた。さらに、希土類金属元素の置換はわずかな固溶量でもC12A7エレクトライドの電気伝導率の向上に効果的であることを明らかにした。
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