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2015 年度 研究成果報告書

核融合中性子照射環境場を許容する低放射化MgB2超伝導導体の開発

研究課題

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研究課題/領域番号 25420892
研究種目

基盤研究(C)

配分区分基金
応募区分一般
研究分野 核融合学
研究機関核融合科学研究所

研究代表者

菱沼 良光  核融合科学研究所, ヘリカル研究部, 准教授 (00322529)

研究分担者 山田 修一  自然科学研究機構, 核融合科学研究所ヘリカル研究部, 准教授 (50249968)
連携研究者 菊池 章弘  国立研究開発法人物質・材料研究機構, 超伝導線材ユニット, 主席研究員 (50343877)
研究期間 (年度) 2013-04-01 – 2016-03-31
キーワードMgB2 / ホウ素同位体 / 臨界電流特性 / 核融合応用 / 引張変形
研究成果の概要

中性子による核変換が皆無で中性子照射に対して安定なB-11同位体を原料としたMgB2超伝導線材を開発した。Jc特性は、結晶化B-11同位体粉末よりも非晶質B-11同位体粉末を用いることで格段に向上し、更にB-11同位体粉末の粒径が細かくなるに従って改善された。本研究で得られたJc特性は、4.2K、3Tの磁場下にて1,000A/mm2以上であった。低放射化MgB2線材のホウ素原料として、粒径の細かい非晶質微粉末が適していると示唆された。
一方、一様引張変形印加後のJc特性は、500MPa程度の応力印加まで増加した。これは、MgB2部の内部応力が引張変形によって緩和されたためであると考えられる。

自由記述の分野

超伝導材料工学

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公開日: 2017-05-10  

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