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2013 年度 実施状況報告書

垂直磁化強磁性体/半導体界面制御による新規磁化反転機構の創出

研究課題

研究課題/領域番号 25600011
研究種目

挑戦的萌芽研究

研究機関東北大学

研究代表者

好田 誠  東北大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (00420000)

研究期間 (年度) 2013-04-01 – 2015-03-31
キーワードスピン軌道相互作用 / スピンホール効果 / スピントロニクス / スピントルク
研究概要

本研究では、界面に生じる新たなスピントルクを活用し、強磁性体の超高速・省電力磁化反転技術を構築する事が目標である。電子スピンに対しトルクを与える新たな機構である、スピンホール効果や有効的に磁場として働くスピン軌道相互作用が、異種材料界面においてどのような機能を果たすのかを調べるために、Pt/Co/Pt3層構造を用いて本年度は主にスピンホール効果に起因する磁化反転の検出を目的として実験を進めた。
その結果、Pt内部で生じるスピンホール効果に起因するスピン流がCo極薄膜に注入され、それによるスピン取る効果を電気的に検出することに成功した。さらに、上層と下層のPt膜厚を系統的に変化させることで、上下層から生じるスピン流の量を変調することができる。Pt膜厚が等しい場合にはスピントルクが最も抑制され膜厚を非対称にすると系統的にスピントルク効果が発現することから、スピントルクの起源がPt層に起因することも実験的に明らかにすることができた。これにより新規スピントルクを生み出す界面スピン軌道相互作用の電気的制御とその定量評価手法を確立したと言える。
さらに、AlO/Co/Pt構造を用いることでAlO/Co界面で期待されるラシュバスピン軌道相互作用による有効磁場とCo/Pt界面で生じるスピンホール効果による有効磁場の定量的な比較を行った。その結果、どちらも同程度の強さを有してることがわかり、スピンホール効果のみならず酸化物とCoの界面における新たな有効磁場の存在とその有用性を明らかにしつつある。今後は、より定量的な比較と外部変調を行うことで効率的な磁化反転が可能となるかを進めて行く。

現在までの達成度 (区分)
現在までの達成度 (区分)

1: 当初の計画以上に進展している

理由

Pt/Co/Pt3層構造においてPt/Co界面に起因するスピントルク効果を実験的に明らかにすることができ、当初目標であった界面に生じる新たなスピントルクを活用した磁化反転技術の基盤技術を構築することができた。さらにPt膜厚を系統的に変化させることでスピントルク効果も変化することが分かり、これによりPtの強いスピン軌道相互作用に起因したスピン流がその起源であることも明らかにすることができたため、研究は当初の計画以上に進んでいると言える。

今後の研究の推進方策

今後は異なる界面を作製することによりどのような機能を発現できるのかについて研究を進めて行く。具体的にはAlO/Co/Pt構造を用いることで片方の層のみPtを有することでスピンホール効果によるトルクを最大にすることを目的に研究を進めて行く。どうじにAlO/Co界面に存在すると期待されているラシュバタイプのスピン軌道相互作用の有無についても実験的に明らかにすることで、スピン軌道相互作用の強磁性体での活用手法の構築を行う。

  • 研究成果

    (6件)

すべて 2014 2013 その他

すべて 雑誌論文 (2件) (うち査読あり 2件) 学会発表 (3件) 備考 (1件)

  • [雑誌論文] Platinum layer thickness dependence of spin-Hall induced effective magnetic field in Pt/Co/Pt structures2014

    • 著者名/発表者名
      Tim Yang, Makoto Kohda, Takeshi Seki, Koki Takanashi, and Junsaku Nitta
    • 雑誌名

      Japanese Journal of Applied Physics

      巻: 53 ページ: 04EM06-1-5

    • DOI

      10.7567/JJAP.53.04EM06

    • 査読あり
  • [雑誌論文] Voltage-induced coercivity change in FePt/MgO stacks with different FePt thicknesses2013

    • 著者名/発表者名
      Yusuke Kikuchi, Takeshi Seki, Makoto Kohda, Junsaku Nitta and Koki Takanashi
    • 雑誌名

      Journal of Physics D: Applied Physics

      巻: 46 ページ: 285002-1-6

    • DOI

      10.1088/0022-3727/46/28/285002

    • 査読あり
  • [学会発表] Thickness dependence of spin relaxation in MgO / Pt / GaAs layers2013

    • 著者名/発表者名
      J. C. Ryu, A. Sasaki, J. Shiogai, M. Kohda and J. Nitta
    • 学会等名
      Solid State Devices and Materials (SSDM)
    • 発表場所
      Fukuoka, Japan
    • 年月日
      20130925-20130925
  • [学会発表] Perpendicular magnetic anisotropy in Pt/Co/AlO trilayer structures depending on AlO thickness and fabrication method.2013

    • 著者名/発表者名
      T. Yang, Z.Q. Wang, M. Kohda, T. Seki, K. Takanashi, and J. Nitta
    • 学会等名
      Solid State Devices and Materials
    • 発表場所
      Fukuoka, Japan
    • 年月日
      20130925-20130925
  • [学会発表] Thickness dependence of spin relaxation in thin Pt on GaAs2013

    • 著者名/発表者名
      J. C. Ryu, A. Sasaki, J. Shiogai, M. Kohda and J. Nitta
    • 学会等名
      Electronic Materials Symposium (EMS)
    • 発表場所
      Shiga, Japan
    • 年月日
      20130711-20130711
  • [備考] 好田個人ページ

    • URL

      http://www.material.tohoku.ac.jp/~kotaib/kohda.html

URL: 

公開日: 2015-05-28  

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