近年、極薄強磁性層/非磁性層に面内方向に電流を流すことで磁化反転できる新たな手法が発見された。スピン軌道相互作用の大きな材料を非磁性層に用いることで、電流方向と垂直にスピン流もしくはスピン軌道相互作用による有効磁場を発生させ強磁性体にスピントルクを与える手法である。本研究では極薄Co/Pt垂直磁化膜を用いてスピン軌道相互作用およびスピンホール効果が磁化反転に与える影響について評価した。その結果、CoとPtの膜厚を系統的に変化させることでスピン軌道トルクの大きさを制御できることを明らかにし、スピンホール効果によるスピン流と界面スピン軌道相互作用により実験結果を説明することができた。
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