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MOSトランジスタや単電子トランジスタを用いて、低温における電流特性の二階微分特性を取得する測定系を立ち上げた。これにより、半導体パラメータアナライザでの二階微分特性よりも雑音耐性に優れた測定系を実現できた。
振動分光と素電荷の再結合過程との相関を調べるために、新たに再結合過程を実時間観測できる手法を開発した。同手法を用いて局在準位を介した再結合過程の詳細を調べ、２本の速報として報告した。
シリコン中のドナー原子の振動分光への応用を念頭に、砒素原子の電子スピン共鳴を低温にて調べ、他のドナーに比べ、スピン密度が低下する等の新たな知見が得られた。また、振動分光と単一のスピンとの相関を調べるために、電子スピン共鳴の電気的読み出し技術である、Electrically Detected Magnetic Resonance（EDMR）の測定系を立ち上げ、その高感度化に成功した。
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