|
本研究では、Si層をキャリア波動伝搬パス、ナノドットを波長フィルタとして機能させることで電気と熱の伝導率の独立制御を狙った。極薄Si酸化膜を用いた独自のナノドット形成技術を使用することで、結晶方位を揃えたGeナノドットを導入したSi薄膜構造の形成を行った。その結果、少ないGe含有量で、従来のSiGe混晶材料より、熱伝導率を低減することに成功した。また、その熱伝導率低減効果は、ナノドットのサイズに依存することを見出した。これは、電気伝導層のSi層に無関係で、Geナノドットが熱伝導率を支配的に決定していることを意味しており、電気と熱の独立制御につながるものである。
|
