| 研究課題/領域番号 |
25600034
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
ナノ材料工学
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
原 真二郎 北海道大学, 量子集積エレクトロニクス研究センター, 准教授 (50374616)
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| 研究協力者 |
クラー ピーター・ジェンス ユストゥス・リービッヒ大学ギーセン, 第1実験物理研究所, 教授
エルム マティアス・トーマス ユストゥス・リービッヒ大学ギーセン, 物理化学研究所, 博士研究員
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| キーワード | 強磁性体ナノワイヤ / 選択成長 / 3次元磁気メモリ / 強磁性体／半導体複合ナノ構造 / ボトムアップ形成 / ナノテクノロジ / 有機金属気相成長 / スピントロニクス |
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| 研究成果の概要 |
次世代低消費電力メモリとして期待される3次元レーストラック磁気メモリ素子応用に向け、素子を構成する横型及び縦型ナノワイヤ（NW）を実現する独自のボトムアップ作製技術を提案し、試作したNW構造の磁気物性を明らかにすると共に、電極形成のためのナノデバイスプロセス技術等を開発した。MnAs結晶面の性質から、依然強磁性体単体の縦型NWの実現は困難であるが、横型強磁性体NW、縦型強磁性体／半導体ヘテロ接合NW、横型NWスピンバルブ素子等、種々のNW構造を試作した。海外研究協力先との連携の下、外部磁場と形状磁気異方性によるNW内の磁区構造制御や、抵抗値ジャンプに対する磁化の熱的擾乱の寄与等を明らかにした。
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| 自由記述の分野 |
電子材料工学
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