スピン軌道相互作用の磁性体磁化反転機構を解明するためラッシュバ効果が無視できるスピンホール効果のみ存在する対称な界面を有するPt/Co/Pt構造を作製した。Pt/Co/Pt構造では、スピンホール効果が生み出す電流-磁場の変換効率を見積もることに成功した。ラッシュバ効果が期待できる界面対称性の破れたAlO/Co/Ptヘテロ構造では、スピンホール効果とラッシュバ効果が共存していることを確認した。さらにCoとPtの膜厚を系統的に変化させたところ、Coが厚くなるとラッシュバ効果が優勢となりPtを厚くするとスピンホール効果が優勢になることを見いだした。
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