半金属性とハーフメタル性を有する新材料を探索する目的で,マンガン・コバルト・ガリウム(Mn-Co-Ga)について研究した.スパッタ法でMn-Co-Ga単結晶薄膜を作製した.電気抵抗は室温で大きな値を示し,金属的な温度依存性を示した.ホール係数は組成によって符号が変化するものの,半金属に特有の大きなホール係数は観測されなかった. Mn-Co-Ga単結晶薄膜を用いたトンネル磁気抵抗素子は,低温で磁気抵抗比が急激に増大する傾向を示し,その接合抵抗はCoを含まないMn-Ga電極と比較して約1桁程度大きいことが分かった.これらの実験結果は,Mn-Co-Gaの特異な電子状態を反映しているものと考えられる.
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