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本研究では、申請者が独自に着想した結晶方位解析法について、1.解析プロセス理論の構築、2.解析方法の基礎固めを目的とする。本方法は、結晶方位を反映した試料表面の光反射強度の対称性と変位を解析することで結晶方位分布を得る方法である。この方法を用いれば、試料サイズの制約がなく、また高い空間分解の結晶方位分布を高速に得ることができる。本方法を確かな解析法とするため、また本方法の実用性・ポテンシャルを見極めるため、学術的に解析理論の裏付けを行い、また基礎データの蓄積を行なう。
平成26年度ではまず、本方法を実施するための装置を設計・導入した。この装置は、照射光源と撮影装置に分かれるが、それぞれについて本方法を実現するための仕様を検討し、装置を作製した。さらに導入された装置を実際に使用して検討を重ねることで、本方法に必要な条件を取得することができた。本方法を行なう上で要求される光均一性や装置動作に起因した揺らぎの許容値についての情報を得ることができた。またこれらの要求を実現するためには、計画当初の装置構成や装置構造では不十分であることもわかり、様々な検討を行なうことで、これらの要求を実現するための知見を得ることができた。
以上のように、本研究で独自に提案した結晶方位解析法について検討を行ない、この方法を行なううえでの、具体的な装置仕様およびこの方法のポテンシャルについての一定の知見が得られた。これらの成果は、権利申請をしたのち、学会や論文などで発表していく予定である。
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