|
発光材料、素子の内部量子効率や寿命の劣化をもたらす非発光再結合（NRR）準位を検出し、それらの成因を解明して低減化する必要がある。これまでBGE光照射によるPL強度変動の観測により、非接触非破壊でのNRR準位検出と評価を進めて来た。新たにLD安定化Xeランプを加えたBGE光源による蛍光分光装置を整備し、GaN系半導体、中間バンド型材料のGaPN、LED励起蛍光体等のNRR準位の検出と評価を進めた。
その結果、GaNの黄色発光帯が浅いドナーから価電子帯より1eV上の深い準位への遷移であることを実証し、GaPN（N濃度0.56%）の中間バンドの上下に複数のNRR準位を分離検出することに成功した。
|
