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電子・正孔共に同等の移動度を有するSi(110)面とSi(111)面の組み合わせをSi(110)基板の一部に3C-SiC(111)薄膜を介してSi(111)面を成長させることで実現するアイディアを掲げ、その原理検証に取り組んだ。まず、Si(110)基板上に3C-SiC(111)薄膜が成長する回転エピ成長機構を解明し、これを最適化した。その結果、Si(110)面上に従来法よりX線ロッキング半値幅で23％高品質の3C-SiC(111)結晶薄膜をヘテロエピタキシャル成長することに成功し、同薄膜上に、工業的成膜手法であるLPCVD法を用いてSi(111)薄膜を形成することに成功した。
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