2014 年度研究成果報告書

ラシュバ効果によりスピン偏極した表面電子系の磁性原子によるスピンフリップ散乱

研究課題

研究課題/領域番号	25600095
研究種目	挑戦的萌芽研究
配分区分	基金
研究分野	薄膜・表面界面物性
研究機関	東京工業大学
研究代表者	平山博之東京工業大学, 総合理工学研究科(研究院), 教授 (60271582)
研究期間 (年度)	2013-04-01 – 2015-03-31
キーワード	表面 / 電子散乱 / スピン / ラシュバ効果
研究成果の概要	ラシュバ効果によりスピン分裂した表面電子バンドを持つBi/Ag(111)√3x√3表面上にCo原子蒸着を行った。この時で出来たCo島には界面格子整合に伴う周期構造が現われ、またCoのｄバンドに起因する電子状態密度のピーク位置は、Co島膜厚の変化に伴う格子緩和により、Fermi準位側へとシフトすることが明らかになった。またBi/Ag(111)√3x√3表面に代わる、Co原子吸着に対し安定で、かつラシュバ効果による大きなスピン分裂を示す表面電子バンドを持った系の候補として、Si(111)√3x√3-Ag表面とBi原子の新たな表面合金層、及びBi(110)超薄膜に関する研究を行った。
自由記述の分野	表面界面物性