研究課題
挑戦的萌芽研究
GaAs系光デバイス製作技術として混晶化を用いたAlAs選択酸化形状手法を提案した．既存のAlAs選択酸化技術では，同一基板上で同一選択酸化速度となる．本研究では，混晶化によるAlAs層厚の実効的な減少を用いて，任意領域の選択酸化速度の低減に成功した．これにより，提案手法が複雑形状形成のための有用な手法となる可能性を示した．また，これら一連のプロセスに基づく非酸化部形状の数値シミュレーションを可能とする基礎的ツールを構築した．
光エレクトロニクス
