| 研究実績の概要 |
前年度製作したデバイス測定結果より、ソース/ドレインチャネル間隔(L)5μmでDNTT膜厚が500nmでドレイン電流が大きいことが分かり、膜厚500nmでのデバイスをソース/ドレインチャネル幅(W)を5μm,10μm,50μm,100μm,200μmパターンで大きさ25mm X 50mmのデバイス製作する。上記ドレイン電流の変化を電圧(I→V)に変換して、動的特性を測定研究する。その為に、照射光をストロボ光にして、デバイスに照射し、ドレイン電流を電圧に変換し、増幅信号をオシロスコープでパルス波形と波高値で観測する。
前年度波長依存性測定で波長450nm近辺でドレイン電流増幅度が大きいことがわかっていたので、波長450nmフィルターと波長600nmフィルターでのオシロスコープ波形で波高値の比較をし、波長450nmでの波高値が400倍あることが確認できた。この波高値の変化から、波長分別器としての利用と、光あり・なしでの微細光検出器（ソース/ドレインチャネル間隔(L)5μm）としての利用が可能となった。
上記測定する為に備品（増幅器・波長フィルター・スタンド・電源）等が必要でしたが、機構内で全て借用可能となり、当初の研究費を余らせる結果となってしましました。
最後に、測定・研究結果は共同研究者等と報告会にて報告したが、学会等のコミュニュティで報告する機会を逃したので、今後この機会があれば報告したい。
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