髙融点金属化合物の純良単結晶育成と電子状態の研究

2015 年度 研究成果報告書

• 研究課題/領域番号: 25610097
• 研究種目: 挑戦的萌芽研究
• 配分区分: 基金
• 研究分野: 物性Ⅱ
• 研究機関: 琉球大学
• 研究代表者: 大貫 惇睦 琉球大学, 理学部, 客員教授 (40118659)
• 研究分担者: 辺土 正人 琉球大学, 理学部, 准教授 (00345232) ; 仲間 隆男 琉球大学, 理学部, 教授 (80264472) ; 眞榮平 孝裕 琉球大学, 理学部, 教授 (20372807)
• 研究期間 (年度): 2013-04-01 – 2016-03-31
• キーワード: 高融点化合物 / ドハース・ファンアルフェン効果 / フェルミ面 / 結晶反転対称性の破れ / TaSi2 / PdBiSe / NiSbS / EuPd2

研究成果の概要

高融点化合物の純良単結晶をテトラアーク溶解炉による引き上げ法，シリコニット炉を使ったブリッジマン法，通常の電気炉によるフラックス法，温度差を利用したトランスポート法を駆使して VSi2, NbSi2, TaSi2 を始めとして約40種類の純良単結晶を育成した。そして，ドハース・ファンアルフェン（dHvA）効果による実験からフェルミ面の性質を明らかにした。特に結晶に反転対称性のない VSi2, NbSi2, TaSi2, PdBiSe, NiSbS, Co2Al9, Rh2Al9, Ir2Al9, Rh2Ga9, Ir2Ga9 では↑と↓のスピンに応じて２つに分裂した。

自由記述の分野

固体物性