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基板に対し垂直または水平方向に高い配向性を持つ単層カーボンナノチューブ（single-walled carbon nanotube, SWNT）の合成技術を開発し，これら配向SWNTと様々なポリマー等との複合材料を作製した．水平配向SWNTに対しては，その密度や長さの制御合成を行うと同時に，SWNTの成長メカニズムの分析，知見を得た．ポリマーとSWNTとの相互作用とSWNTのジュール加熱技術や電気的ブレイクダウンを応用し，半導体または金属SWNTの選択的除去技術を開発した．これらの技術を用いて高性能な電界効果型SWNTトランジスタを実現した．
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