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本研究では、優れた熱電変換特性が期待されるSiNWを利用した熱電変換デバイスの新開発を目指して、SiNW結晶成長技術を確立するとともに、SiNW単体で熱電変換特性評価ができる計測デバイスを設計した。SiNW成長では、金ナノ粒子内包フェリチンタンパク分子を触媒にした成長実験に成功したが、再現性の確保が困難であった。このため、金ナノ粒子の二次元配列技術を新たに確立し、高密度SiNW成長を実現した。一方、熱電変換特性計測デバイスの構造設計では有限要素解析を実施し、合理的なデバイス形状を決定した。とくに、計測中のデバイス温度上昇に伴う熱膨張を梁の弾性変形によって吸収する構造にすることができた。
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