研究課題
挑戦的萌芽研究
SOI(Si-on-Insulator)ウエハ上へ低転位のGe層をエピタキシャル成長することを目指し、上部Si層を極薄化およびパターン化したSOIウエハ上へGe成長を行った。上部Si層への転位導入を期待していたが、転位が発生する前に形状変形・SiGe混晶化によるひずみ緩和が起こり、Ge/Siの層状態を維持できずに凹凸が発生した。層構造を維持し、かつGeを低転位化するには、成長温度の低下などを検討する必要がある。
半導体工学