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本研究では、ナノギャップに発現するエレクトロマイグレーション現象を利用した原子の移動操作制御技術を開発し、強磁性単電子トランジスタやNiナノギャップ系抵抗スイッチング素子、Ni系量子ポイントコンタクトの作製を検討した。ナノギャップでの原子のマイグレーションを利用した本手法では、作製された数十nmの初期ナノギャップに対して、あらかじめ設定した電流値まで通電を行うことで、ナノギャップの構造や電気的特性を広範囲にわたってtuningすることができる。これより、ナノギャップでの原子移動を最適化することで、ナノスケールデバイスが容易に作製可能になるものと期待される。
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