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シリコンカーバイド（SiC）は、高い絶縁破壊電界強度と熱伝導度を有し、次世代のパワーエレクトロニクス材料として期待されている。SiC-MOSFETはノーマリーオフ動作が可能な理想的なスイッチングデバイスであるが、MOS界面には多量の欠陥が存在し、素子性能や信頼性を劣化させることが問題となっている。本研究では、SiO2/SiC構造に対して、外部からのビーム照射によりMOS界面の電気特性を改善するビーム励起界面反応技術を提案する。本研究期間では、熱酸化SiO2/SiC構造に紫外線または電子線照射を行う事で、構造欠陥の起源を探ると共に、ビーム励起界面反応技術構築に向けた基礎データを取得した。
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