本研究は、Siナノpn接合の特徴を生かした新原理デバイスとして、深いレベルをもつドナー・アクセプター準位間の共鳴トンネリングを用いた原子型トンネルダイオードを世界に先駆けて実現することを目標とした。H25年度は低温域で拡散電流にランダムテレグラフシグナル(RTS)が現れることを確認し、これがpn接合部の個別ドーパントの充放電効果であることを明らかにした(APL(2014))。H26年度は、接合部でのドーパントを介した共鳴型トンネリングを観測することが出来、これにより当初の目標を達成することができた(Si Nanoelectron. WS(2015)にて発表予定)。
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