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本研究ではまず、超臨界流体成膜法により、粒径25nmのTiO2粒子で構成された多孔質膜中に、均一にCu,In膜を成膜することを可能とした。さらに高い溶解性と還元力を有する超臨界エタノールを反応場として用いることで、従来の毒性の高いカルコゲン原料を代替する安全・安価な固体原料を用いたカルコゲン化反応プロセスを構築した。これら超臨界流体プロセスを駆使することで、TiO2多孔質膜へのCuInS2埋め込み成膜を行い、高変換効率の実現が期待される3次元接合型CIS化合物半導体太陽電池構造を具現化できることを実証した。
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