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本研究課題では、シリコントランジスタ上で電荷とスピンを精密に制御することを最終目的として、２つの基盤技術を確立した。一つは、実時間領域で電流を検出する手法「実時間チャージポンピング法」である。当該手法を用いることで、局在準位（半導体中のドーパント原子や界面欠陥の準位）での電荷の動的挙動を詳細に解析することが可能となった。もう一つは、電子スピン共鳴を電気的に読み出す手法「EDMR(Electrically detected magnetic resonance)法」である。ここでは特に、欠陥準位での電子正孔再結合過程に基づくEDMR信号を取得することに成功した。
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