研究課題
若手研究(A)
In組成の高いIn系窒化物半導体材料に焦点を当て、高品質結晶形成や表面バンド構造制御を含めた結晶成長技術の高度化を図った。これまでの結晶成長技術を駆使してpn-InGaN LEDを製作した。このLEDでの問題点を踏まえ、結晶成長中の新しいその場観察（モニタリング）技術の導入し成長機構を理解した。また、組成に対してユニバーサルな新しいバッファ層製作技術の開拓を行った。その他、製作した全In組成域にわたるInGaNを対象とした物性評価を含めた包括的な研究を行った。
結晶成長
