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ワイドバンドギャップ半導体をNEAフォトカソードとして利用し、且つ二光子励起過程によるスピン偏極電子生成により、励起波長、光の回折限界、寿命問題を同時に克服する新しい光陰極型電子源の研究を実施した。二光子励起用の背面照射型InGaN-GaN超格子フォトカソードの作成に成功した。 また、二光子励起用光学系およびパルス電子線計測系を構築し、二光子吸収による伝導帯への電子励起の確認に成功した。また、二次の吸収過程に起因する放出スポットの縮小が初期エミッタンス低減に寄与することを見出した。これにより、新方式による高品質かつ高効率なスピン偏極電子源の可能性を示すことができた。
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