GaAsとAlAsをナノレベルの厚さで交互に積層した半導体超格子において,テラヘルツ電磁波への増幅作用(利得)を高温での物理的性質と制御性に重点を置きながら調べた。80 K(-193℃)から298 K(25℃)までの温度範囲に亘って,積層方向の直流電圧下で光パルスによって作られた電子は,電圧制御される振動周波数と特殊な初期位相を持つテラヘルツ放射時間波形を示すことが分かった。位相情報を利用して得られた複素伝導度スペクトルから,半導体超格子における電子系のコンデンサー的な性質(従来の反転分布の概念には基づかない)に由来した室温テラヘルツ利得の存在を実証した。
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